PIN Photodetector Mga Manufacturer

Ang 1550nm Superluminescent Diodes SLED ay mga optical source na may medyo malawak na optical bandwidth. Dahil naiiba ang mga ito sa parehong mga laser, na may napakakitid na spectrum, at puting mga pinagmumulan ng liwanag, na nagpapakita ng mas malaking spectral na lapad. Ang katangiang ito ay pangunahing sumasalamin sa sarili nito sa isang mababang temporal na pagkakaugnay ng pinagmulan (na kung saan ay ang limitadong kakayahan ng emitted light wave upang mapanatili ang phase sa paglipas ng panahon). Gayunpaman, ang SLED ay maaaring magpakita ng mataas na antas ng spatial na pagkakaugnay-ugnay, ibig sabihin, maaari silang mahusay na pagsamahin sa single-mode optical fibers. Sinasamantala ng ilang application ang mababang temporal na pagkakaugnay ng mga pinagmumulan ng SLED upang makamit ang mataas na spatial na resolusyon sa mga diskarte sa imaging. Ang haba ng pagkakaugnay ay isang dami na kadalasang ginagamit upang makilala ang temporal na pagkakaugnay ng pinagmumulan ng liwanag. Ito ay nauugnay sa pagkakaiba ng landas sa pagitan ng dalawang braso ng isang optical interferometer kung saan ang liwanag na alon ay may kakayahang makabuo ng isang pattern ng interference.

Ang 1653nm DFB Butterfly Laser Diode Para sa CH4 Detection ay maaaring gamitin sa gas boring at surveying. Kung ikukumpara sa mga tradisyunal na pamamaraan para sa pag-detect ng gas, gumagamit ito ng laser upang gumawa ng spectrum analysis na maaaring makamit ang long-distance survey sa ilalim ng malupit na kapaligiran. Maaari rin itong magsilbi bilang isang ilaw na mapagkukunan sa nasusunog na gas detecting module.

Ang 300um InGaAs Photodiode Chip ay nag-aalok ng napakahusay na tugon mula 900nm hanggang 1700nm, perpekto para sa telecom at malapit sa IR detection. Ang photodiode ay perpekto para sa mataas na bandwidth at aktibong alignment application.

Ang 808nm 5W Uncooled Multimode Laser Diode Module na gumagamit ng propesyonal na teknolohiya ng coupling, na nagtatamasa ng maraming pakinabang, hal., compact na disenyo, stable na output power, mataas na power, mataas na kahusayan at maginhawang packaging. Ang mga laser diode module na ito ay maaaring magbigay ng mga solusyon para sa fiber laser application at direktang mga supplier.

Ang Highly Doped Phosphorus Raman Fibers ng Boxoptronics ay idinisenyo para sa mahusay na Raman lasers at amplifier na tumatakbo sa 1.1-1.6 µm spectral range. Ang pangunahing bentahe ng phosphorous-doped fiber ay ang tatlong beses na mas mataas na halaga ng shift ng Raman kumpara sa germanium-doped fiber. Ang tampok na ito ay maaaring lubos na gawing simple ang disenyo ng Raman fiber laser at amplifier.

Ang High Power C-band 10W 40dBm EDFA Fiber Optical Amplifier Module (EYDFA-HP) ay batay sa double-clad erbium-doped fiber amplifier na teknolohiya, gamit ang isang natatanging optical packaging na proseso, kasama ng isang maaasahang high-power na disenyo ng proteksyon ng laser, upang makamit ang high-power laser output sa 1540~1565nm wavelength range. Sa mataas na kapangyarihan at mababang ingay, maaari itong magamit sa fiber optic na komunikasyon, Lidar, atbp.