1590nm DFB Butterfly Laser Diodes 14-Pin PM Fiber Mga Manufacturer

Para sa teknolohiya ng spectral synthesis, ang pagtaas ng bilang ng mga synthesized na laser sub-beam ay isa sa mga mahalagang paraan upang mapataas ang kapangyarihan ng synthesis. Ang pagpapalawak ng spectral range ng fiber lasers ay makakatulong na mapataas ang bilang ng spectral synthesis laser sub-beams at mapataas ang spectral synthesis power [44-45]. Sa kasalukuyan, ang karaniwang ginagamit na spectrum synthesis range ay 1050～1072 nm. Ang karagdagang pagpapalawak ng wavelength na hanay ng makitid na linewidth fiber laser sa 1030 nm ay may malaking kahalagahan sa teknolohiya ng spectrum synthesis. Samakatuwid, maraming mga institusyong pananaliksik ang nakatuon sa maikling wavelength (wavelength na mas mababa sa 1040 nm) makitid na linya Wide fiber lasers ay pinag-aralan. Pangunahing pinag-aaralan ng papel na ito ang 1030 nm fiber laser, at pinalawak ang wavelength range ng spectrally synthesized laser sub-beam sa 1030 nm.

Ang direktang modulated laser diode (DML) ay maaaring magamit upang baguhin ang optical power. Sa DML, ang lakas ng output ng laser ay nababagay sa pamamagitan ng pagbabago ng kasalukuyang bomba sa medium ng laser gain. Ang kasalukuyang bomba ay kinokontrol ng isang signal ng de -koryenteng drive. Ang ganitong uri ng direktang deteksyon (DD) system ay karaniwang gumagamit ng On-Off Keying (OOK). Sa madaling salita, ang bomba kasalukuyang ng DML ay binago sa pamamagitan ng mga signal ng binary.

Ang ilang solid-state na laser gain media ay doped ng mga transition metal ions, at ang mga transition na kasangkot ay ang mga electron sa three-dimensional shell. Ipinapakita ng Figure 1 ang karaniwang ginagamit na transition metal ions at ang kanilang host media.

Ang mga semiconductor laser ay karaniwang kilala bilang laser diodes. Ang mga ito ay tinatawag na semiconductor lasers dahil sa mga katangian ng paggamit ng mga semiconductor na materyales bilang mga materyales sa pagtatrabaho. Ang semiconductor laser ay binubuo ng fiber-coupled semiconductor laser module, beam combining device, laser energy transmission cable, power supply system, control system at mechanical structure. Ang laser output ay natanto sa ilalim ng pagmamaneho at pagsubaybay ng power supply system at control system.