1060nm Ase Broadband Light Source Mga Manufacturer

Para sa mga hibla ng Panda at Bowtie PM, dahil sa mga kondisyon ng pagkabit na hindi ideal, panlabas na stress sa hibla, at mga depekto sa hibla, ang direksyon ng polariseysyon ng bahagi ng ilaw ay lilipat sa direksyon ng orthogonal, binabawasan ang ratio ng extinction ng output.

Ang magaspang na haba ng haba ng haba ng haba ng haba ng haba (CWDM) ay nagbibigay -daan sa maraming mga signal na maipadala nang sabay -sabay sa isang solong optical fiber sa pamamagitan ng paggamit ng ibang haba ng haba ng haba ng haba upang dalhin ang bawat signal. Ang CWDM ay nagpapatakbo sa saklaw ng haba ng haba ng 1270nm hanggang 1610nm, kasama ang bawat channel ng CWDM na karaniwang spaced 20nm bukod.

Kung ikukumpara sa discrete optical fiber amplification technology, ang Distributed Raman Amplification (DRA) na teknolohiya ay nagpakita ng malinaw na mga pakinabang sa maraming aspeto tulad ng noise figure, nonlinear damage, gain bandwidth, atbp., at nakakuha ng mga pakinabang sa larangan ng optical fiber communication at sensing. malawakang ginagamit. Maaaring gawin ng high-order DRA ang gain nang malalim sa link upang makamit ang quasi-lossless optical transmission (iyon ay, ang pinakamagandang balanse ng optical signal-to-noise ratio at nonlinear damage), at makabuluhang mapabuti ang kabuuang balanse ng optical fiber transmission/ pandama. Kung ikukumpara sa maginoo na high-end na DRA, ang DRA batay sa ultra-long fiber laser ay nagpapasimple sa istraktura ng system, at may kalamangan sa paggawa ng clamp, na nagpapakita ng malakas na potensyal na aplikasyon. Gayunpaman, ang paraan ng amplification na ito ay nahaharap pa rin sa mga bottleneck na naghihigpit sa paggamit nito sa long-distance optical fiber transmission/sensing

Laser-isang aparato na may kakayahang maglabas ng ilaw ng laser. Ang unang microwave quantum amplifier ay ginawa noong 1954, at isang mataas na magkakaugnay na microwave beam ay nakuha. Noong 1958, sina A.L. Xiaoluo at C.H. Pinalawak ng mga bayan ang prinsipyo ng microwave quantum amplifier sa optical frequency range. Noong 1960, si T.H. Mayman at iba pa ang gumawa ng unang ruby ​​laser. Noong 1961, si A. Jia Wen at ang iba pa ay gumawa ng helium-neon laser. Noong 1962, si R.N. Si Hall at iba pa ay lumikha ng gallium arsenide semiconductor laser. Sa hinaharap, parami nang parami ang mga uri ng laser. Ayon sa gumaganang daluyan, ang mga laser ay maaaring nahahati sa apat na kategorya: mga laser ng gas, mga solidong laser, mga laser ng semiconductor at mga laser ng dye. Ang mga libreng electron laser ay binuo din kamakailan. Ang mga high-power laser ay kadalasang pulsed output.

Ang semiconductor laser diode, na maaaring direktang mag-convert ng elektrikal na enerhiya sa liwanag na enerhiya, ay may mga katangian ng mataas na liwanag, mataas na kahusayan, mahabang buhay, maliit na sukat, at direktang modulasyon.